溅射镀膜的基本原理是让具有足够高能量的粒子轰击靶材表面，使靶材中的原子被“溅射”出来，沉积到基体上成膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击作为阴极的靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关。

在半导体工业中，钨（W）薄膜主要被用作构成位于W-Al基底中的电子部件（例如，栅电极或接线材料） 的材料。

近年来，微电子及半导体产业得到了迅速的发展，由于这些电子零件需要高集成度，高可靠性，高功能性，高速处理，为了满足这些需求，降低薄膜材料的电阻至关重要。W用于栅极和互连金属化中的金属间隔离有着显著的作用，钨电阻低，并且耐热性也极好，钨作为构成电极和导线的材料，引起了半导体工程师的广泛注意

厦门虹鹭生产的高纯钨靶材应用于物理气相沉积（PVD）制备，溅射过程中产生的颗粒数少、得到的薄膜均一性高并且具有优良电性能，能够较完美地满足半导体行业对材料的极致追求。